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公司新聞
漢源微與天工大聯(lián)合實驗室揭牌儀式成功舉辦
2024年6月29日上午，由廣州漢源微電子封裝材料有限公司和天津工業(yè)大學主辦的“功率半導體模塊封裝關鍵材料與工藝聯(lián)合實驗室”揭牌儀式在天津工業(yè)大學成功舉辦。來自國內知名半導體器件上下游企業(yè)、高校、科研院所、社會團體的領導、專家共計30多人出席活動。
▲聯(lián)合實驗室牌匾
01?揭牌儀式
廣州漢源微與天津工業(yè)大學“功率半導體模塊封裝關鍵材料與工藝”聯(lián)合實驗室的揭牌儀式上，天津工業(yè)大學工業(yè)技術研究院院長王亮致辭，對聯(lián)合實驗室的成立表示祝賀，充分肯定聯(lián)合實驗室是雙方深化“產(chǎn)學研”合作的里程碑，是加強科研創(chuàng)新和科技成果轉化的重要平臺，是探索和發(fā)展科研新質生產(chǎn)力的重要體現(xiàn)。
▲天津工業(yè)大學工業(yè)技術研究院院長王亮作歡迎致辭
廣州漢源微電子封裝材料有限公司董事長陳明漢表示：
在電子信息技術飛速發(fā)展的今天，高性能的半導體封裝材料對于提升整個產(chǎn)業(yè)鏈的核心競爭力至關重要。廣州漢源自創(chuàng)立以來，始終專注于電子和半導體封裝焊料的研發(fā)與生產(chǎn)，漢源不斷投入研發(fā)力量，致力于推動半導體封裝材料的創(chuàng)新與發(fā)展。天津工業(yè)大學，作為一所歷史悠久、實力雄厚的高等學府，在半導體材料領域擁有深厚的學術積累和豐碩的科研成果。今天，漢源微與天津工業(yè)大學攜手合作，共同成立聯(lián)合實驗室，旨在加強產(chǎn)學研深度融合，推動第三代半導體關鍵材料與工藝研發(fā)及測試。這是一次強強聯(lián)合、互利共贏的戰(zhàn)略合作，必將為我們雙方帶來更加廣闊的發(fā)展空間。面向未來，聯(lián)合實驗室將從加強技術攻關、推進成果轉化、培養(yǎng)優(yōu)秀人才三方面共同努力和協(xié)作，將聯(lián)合實驗室發(fā)展成為半導體封裝材料領域的重要科研平臺和創(chuàng)新高地。
▲漢源微陳明漢董事長（左）和天工大梅云輝教授（右）共同揭牌
02?參觀實驗室
揭牌儀式結束后，在場所有參會嘉賓在梅云輝教授的帶領下參觀了聯(lián)合實驗室，并交流了實驗室的現(xiàn)有條件、研究開發(fā)能力、人才結構等內容。
漢源微、天工大聯(lián)合實驗室參觀、交流
聯(lián)合實驗室所在科研中心固定資產(chǎn)投資近1.5億元，可以完成以IGBT和MOSFET為代表的先進功率模組封裝、關鍵封裝材料及工藝開發(fā)與服務、測試與失效分析等，主要體現(xiàn)于：
先進功率器件封裝方案設計能力；
先進封裝新材料導入、技術支持能力，協(xié)助客戶進行關鍵工藝方案開發(fā)；
提供完整可靠的先進封裝工藝與制造解決方案；
新型半導體器件性能、可靠性測試與失效分析。
03?座談會
中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會常務副理事長肖向鋒、功率半導體行業(yè)聯(lián)盟常務副秘書長舒麗輝出席揭牌儀式并在座談會上發(fā)表講話，肖向鋒副理事長分享了“產(chǎn)學研”合作對產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的重要性，對聯(lián)合實驗室的發(fā)展寄予厚望；舒麗輝副秘書長表示聯(lián)合實驗室的建立是功率半導體行業(yè)的大事，對行業(yè)發(fā)展將起到十分重要的作用。
▲肖向鋒副理事長（左）、舒麗輝副秘書長（右）發(fā)表講話
隨后，廣州漢源新材料股份有限公司總經(jīng)理張雪松、天津工業(yè)大學梅云輝教授圍繞聯(lián)合實驗室科技創(chuàng)新、人才培養(yǎng)、發(fā)展規(guī)劃以及理論與實踐結合、服務社會等話題進行了更進一步溝通交流。
▲漢源股份總經(jīng)理張雪松（左）、天工大梅云輝教授（右）發(fā)言?
▲座談會交流現(xiàn)場
聯(lián)合實驗室將以此次正式啟動為契機，準確把握創(chuàng)新前沿方向，專注卓越和創(chuàng)新，致力促進合作和跨學科研究，為實現(xiàn)先進功率模塊封裝材料與工藝技術的不斷創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化，共同推動先進半導體器件封裝材料和工藝技術發(fā)展注入活力。
▲參會人員合影式啟動為契機，準確把握創(chuàng)新前沿方向，專注卓越和創(chuàng)新，致力促進合作和跨學科研究，為實現(xiàn)先進功率模塊封裝材料與工藝技術的不斷創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化，共同推動先進半導體器件封裝材料和工藝技術發(fā)展注入活力。聯(lián)合實驗室將以此次正式啟動為契機，準確把握創(chuàng)新前沿方向，專注卓越和創(chuàng)新，致力促進合作和跨究，為實現(xiàn)先進功率模塊封裝材料與工藝技術的不斷創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化，共同推動先進半導體器件封裝材料和工藝技術發(fā)展注入活力。
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